Efecto de la presencia de impurezas sobre la estabilidad de interfaces magneticas en el modelo de Ising

SONIA MARCELA COTES; EZEQUIEL VICENTE ALBANO

Santa Rosa, La Pampa, Argentina

Taller; VII Taller Regional de Fisica Estadistica y Aplicaciones a la Materia Condensada - TREFEMAC'09; 2009

TREFEMAC

Es bien conocido que un magneto de Ising bidimensional confinado en una geometría LxM (L<<M) y en la presencia de campos magnéticos competitivos (h) que actúan en paredes opuestas a lo largo de la dirección M, exhibe una interfaz entre dominios de diferente orientación que corren paralelos a las paredes. En el limte de una película delgada infinita, es decir para L tendiendo a infinito, esta interfaz sufre una transición de mojado que ocurre a la temperatura crítica Tw(h) de modo que para T < Tcb dicha interfaz se pega a las paredes, mientras que para Tw(h) < T < Tcb la interfaz fluctúa libremente alrededor del centro de la película, donde Tcb es la temperatura critica de transición de fase de segundo orden del bula característica del modelo de Ising [1]. En este trabajo, presentamos resultados preliminares donde exploramos el efecto de la introduccion de impurezas no magneticas a lo largo del centro de la pelicula de modo de observar efectos de estabilizacion de la interfase. El cálculo se realiza simulando películas de Ising con diferentes tamaños LxM, donde el código de calculo utiliza el algoritmo de Metropolis estandar y tiene implementada una rutina para distribuir periodicamente defectos (o vacancias de espin) a lo largo del centro de la pelicula (L/2), es decir uno o mas sitios con espin nulo cada un cierto numero de sitios de red. Inicialmente realizamos estudios sobre el comportamiento de la interfaz entre dominios a diferentes temperaturas sin obstaculos (o defectos). A continuación realizamos calculos ubicando los defectos. Se estudiaron diferentes tamaños de red LxM y, en cada caso, diferentes densidades de obstaculos distribuidos periodicamente. En este caso el defecto es 1-D, es decir, una vacancia de 1 sitio de red donde el valor del espin se iguala a cero. Los calculos se realizaron con una alta estadística, midiendose las cantidades de interes, magnetización, susceptibilidad, etc. [1] E.V. Albano, A. De Virgilis, M. Mueller and K. Binder, J. Phys.:Condens. Matter 18(2006)2671.