Efecto de la presencia de impurezas sobre la estabilidad de interfaces magneticas en el modelo de Ising confinado con campos competitivos

S.M. COTES; E.V. ALBANO

Universidad CAECE, Mar del Plata, Buenos Aires, Argentina

Taller; 8vo. Taller de Fisica Estadistica y Aplicaciones a la Materia Condensada (TREFEMAC'10); 2010

Universidad de Mar del Plata, Dto. de Fisica

Es bien conocido que un magneto de Ising bidimensional confinado en una geometría LxD (L<<D) y en la presencia de campos magnéticos competitivos (h) que actúan en paredes opuestas a lo largo de la dirección D, exhibe una interfaz entre dominios de diferente orientación que corren paralelos a las paredes. En el limite de una película delgada infinita, es decir para L tendiendo a infinito, esta interfaz sufre una transición de mojado que ocurre a la temperatura critica Tw(h) de modo que para T < Tcb dicha interfaz se pega a las paredes, mientras que para Tw(h) < T < Tcb, la interfaz fluctúa libremente alrededor del centro de la película, donde Tcb es la temperatura critica de transición de fase de segundo orden del bulk característica del modelo de Ising [1]. En este trabajo exploramos el efecto causado por la introducción de impurezas no magnéticas fijas a lo largo del centro de la película, con el objetivo de observar efectos de estabilización de la interfaz. El cálculo fue realizado simulando películas de Ising con diferentes tamaños LxD. El código utiliza el algoritmo de Metrópolis estándar y tiene implementado un algoritmo simple para distribuir periódicamente defectos (o vacancias de espin) a lo largo del centro de la película (L/2), es decir uno o mas sitios con espín nulo cada un cierto numero de sitios de red. Los resultados indican que para bajas densidades de impurezas la transición de mojado es de segundo orden, tal como en el caso ausencia de impurezas. Por otro lado, para una alta densidad de impurezas se observa un anclaje de la interfaz dando lugar a una transicion de mojado de primer orden. Posteriormente, estudiamos la dinámica de propagación de la interfaz asistida por un campo magnético externo y el efecto que sobre la misma ejercen impurezas fijas tanto simétricas como antisimétricas. En este caso, hemos considerando una impureza de forma triangular, los efectos de tensión superficial resultan diferentes cuando la interfaz interactua a través de la base o el vértice del triangulo. [1] E. V. Albano, A. De Virgiliis, M. Mueller and K. Binder, J. Phys.: Condens. Matter 18 (2006)2761-2775.