Estudio FP-LAPW de la estructura electrónica, relajaciones estructurales y GCE en sitios de impurezas Ta en TiO2

L.A. ERRICO; G. FABRICIUS; M. RENTERÍA

Bariloche

Congreso; 88° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2003

Asociación Física Argentina

Reportamos en esta contribuci´on un estudio ab initio deltensor gradiente de campo el´ectrico (GCE) en impurezasTa localizadas en sitios de cati´on del semiconductor TiO2(estructura rutilo). El inter´es de esta investigaci´on radica enque, m´as all´a de la importancia te´orica del problema (impurezasmet´alicas en semiconductores), uno de los is´otopos delTa (el 181Ta) es una de las sondas m´as com´unmente empleadasen experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas(PAC). Nuestros c´alculos fueron realizados mediantela implementaci´on WIEN97 del m´etodo ?full-potentiallinearized-augmented-plane-waves? (FP-LAPW). A fin desimular la diluci´on de la impureza empleamos superceldasde 48, 72 y 96 ´atomos, calculando la estructura electr´onicade cada una de las superceldas, as´ı como las fuerzas actuantessobre cada ´atomo. A partir de estas fuerzas, hemosobtenido las relajaciones estructurales introducidas por lasimpurezas Ta en la red del TiO2. Contrariamente a los resultadoshallados para la impureza Cd [Errico et al., PRL89, 55503 (2002)], el Ta no introduce relajaciones estructuralesapreciables en la red-hu´esped ni niveles de impureza,hechos que pueden ser explicados en funci´on de los radiosi´onicos y las densidades de estados del Cd y el Ta en TiO2.