Determinación de la Orientación del GCE en Monocristales de alpha-Al2O3:Ta

M. RENTERÍA, G.N. DARRIBA, L.A. ERRICO, E.L. MUÑOZ, Y P.D. EVERSHEIM

Bahia Blanca, Bs.As

Congreso; 89° Reunión Nacional de Física; 2004

Asociación Física Argentina

Recientemente, métodos como el FP-LAPW en el marco de la teoría de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicados con éxito al estudio de semiconductores dopados, permitiendo la descripción de interesantes propiedades estructurales y electrónicas en impurezas metálicas. El método FP-LAPW permite hoy uno de los cálculos más precisos del tensor gradiente de campo electrico (GCE) en impurezas.La determinación de la orientación del GCE, un observable físico adicional a los que pueden determinarse usualmente en experimentos PAC con muestras policristalinas, puedeconvertirse en un factor determinante a la hora de dilucidar entre distintos modelos que describan el GCE en impurezas en semiconductores [PRL 89, 55503 (2002)] y, al mismo tiempo, chequear las aproximaciones que se realizan en la DFT y las propiedades que de ellas se obtienen [PRB67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultados preliminares de experimentos PAC en monocristales de alpha-Al2O3 implantados con iones 181 Hf(que decae a 181 Ta).La magnitud, asimetríaa y orientación del tensor GCE (con respecto a los ejes cristalinos) se determinaron midiendo las curvas de rotación de espín en función de las diferentesorientaciones del monocristal respecto al sistema de laboratorio. Los resultados son analizados en el marco de cálculos ab initio y del modelo de cargas puntuales y con resultadosPAC en otras impurezas y el mismo huésped.