El rol de las vacancias de oxígeno en el comportamiento magnético de películas delgadas de óxido de Titanio.

DUHALDE S.; RODRÍGUEZ TORRES C.E.; ERRICO L.A.; GOLMAR F.; CABRERA A.; RENTERÍA M.; CHILIOTTE C; SÁNCHEZ F. H.; WEISSMANN M.

Bariloche

Congreso; Reunión Nacional Sólidos ´05; 2005

Centro Atómico Bariloche (CNEA)

En los últimos años se ha intensificado la búsqueda de semiconductores que presentencomportamiento magnético a temperatura ambiente, debido a sus aplicacionespotenciales en el campo de la espintrónica y la optoelectrónica. Los semiconductoresmagnéticos diluidos de la familia III-V, como el GaAs dopado con Mn, poseenpropiedades optoelectrónicas muy interesantes pero su temperatura de Curie (TC) es delorden de 110 K, lo cual limita sus aplicaciones practicas. Por el contrario, se haencontrado que el ZnO, el TiO2 y el SnO2, dopados con impurezas magnéticas como Coo Mn, poseen TC por encima de la temperatura ambiente. Sin embargo, existe unaenorme dispersión de resultados experimentales y de modelos teóricos que tratan deexplicar su comportamiento. En esta charla describiremos los resultados experimentalesobtenidos en películas delgadas de TiO2 dopadas con impurezas magnéticas y nomagnéticas, com Mn, Fe, Co, Ni, Cu y Zn y en películas sin dopar. Sorprendentementehemos encontrado que las películas presentan a temperatura ambiente una componenteferromagnética, independientemente de la impureza utilizada como dopante. Losresultados experimentales se compararan con cálculos teóricos ab initio, que dansoporte a la hipótesis de que las vacancias de oxígeno juegan un rol determinante en elorigen del comportamiento magnético. Asimismo permiten comprender la diversidad demomentos magnéticos reportados en la bibliografía para films depositados bajodiferentes condiciones de preparación.