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Los semiconductores magnéticos diluidos producidos a partir del dopaje desemiconductores no magnéticos con metales de transición han recibido considerableatención en los últimos años debido a sus potenciales aplicaciones en espintrónica yoptoelectrónica, ya que combinan propiedades de transporte con ferromagnetismo ytransparencia en el rango visible [1]. Ferromagnetismo por encima de la temperaturaambiente ha sido reportado en diferentes óxidos dopados con elementos magnéticos,como ZnO:Co [2] o Ti1-xRxO2 (R: Mn, Fe, Co, Ni) [3] o Sn1-xFexO2 [4]. Asímismo,algunos autores han reportado ferromagnetismo en óxidos puros como TiO 2, HfO2 eIn2O3 [5] o en óxidos dopados con impurezas no magnéticas [3]. En estos casos, elcomportamiento magnético fue atribuido a defectos como por ejemplo vacancias deoxígeno. En este trabajo presentamos un estudio de propiedades magnéticas de filmsdelgados de SnO2 puros y dopados con Fe depositados sobre LaAlO 3 (LAO) por ablaciónláser. Los resultados muestran que tanto los films puros como los dopados presentancomportamiento magnético. El resultado para el caso de SnO2 puro es inesperado (elmomento magnético de este film es aproximadamente un tercio del encontrado en Sn1-xFexO2),ya que el SnO2 es un material diamagnético. Los resultados experimentales soncomparados con cálculos ab initio, en los cuales hemos tenido en cuenta diferentesvariables del problema (dilución y distribución de las impurezas, efecto de vacancias deoxígeno, etc).[1] H. Ohno et al, Nature 408 944, 2000.[2] P. Sharma et al, Nature Materials 2, 673, 2003.[3] S. Duhalde et al, Phys. Rev. B 72 (2005) R161313; L. Errico et al, Phys. Rev. B 72,184425, 2005.[4] C. Fitzgerald et al, J. Appl. Phys. 95(11), 7390, 2004.[5] J. Coey et al., Phys. Rev. B 72, 24450, 2005.

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