Gradiente de campo eléctrico e interacciones dinámicas en sitios de impureza Cd en In2O3. Un modelo de primeros principios.

L. ERRICO; M. RENTERÍA; A. G. BIBILONI

Merlo, San Luis

Congreso; 91° Reunión Nacional de Física; 2006

Asociación Física Argentina

La densidad electrónica r(r) en un sólido y su dependencia con la temperatura (T)puede estudiarse a partir de la determinación experimental del tensor gradiente de campoelétrico (GCE), el cual es sumamente sensible a pequeños cambios en r(r). En esteaspecto, la técnica de las correlaciones angulares perturbadas (PAC) ha sidoextensamente aplicada a este tipo de estudios, ya que no presenta las limitaciones que elfactor de Debye-Waller impone a otras técnicas. En particular, el GCE en sitios deimpureza en óxidos con la estructura bixbita ha sido ampliamente estudiado con estatécnica y con 111 Cd como sonda [1]. En lo concerniente a la dependencia del GCE con Ten estos compuestos, dos comportamientos fueron observados. En el caso que loscationes presenten capas electrónicas incompletas se observa un incremento lineal delGCE con T. Por otro lado, si los cationes presentan capa cerrada, los espectros tomados a300 K presentan un fuerte amortiguamiento, que desaparece para temperaturas de medidamayores. Este amortiguamiento es reversible con la temperatura de medida, por lo cualno puede estar originado en algún tipo de daño por radiación. Más aún, no puede serdescrip to por una distribución de frecuencias estáticas.En los últimos años el método ab initio Full-Potential Linearized AugmentedPlane Wave (FLAPW) ha sido exitosamente aplicado al estudio del GCE en sitios deimpurezas Cd y Ta en óxidos binarios. Mas aún, hemos podido emplear este tipo decálculos a 0 K a fin de estudiar la dependencia con T del GCE en sitios de impureza Cden TiO2 [2] y Lu2O3 [3]. En esta comunicación presentamos resultados FPLAW enimpurezas Cd sustitucionalmente localizadas en sitios catiónicos de la bixbita In2O3.Estos cálculos, además de predecir correctamente el GCE, nos han permitido establecerun modelo, basado en cambios en la ocupación de un nivel de impureza introducido porel Cd en el GAP del In2O3, para explicar el origen de las interacciones dinámicas.[1] L Errico et al, Eur. Phys. J. B 22, 149, 2001.[2] L Errico, Hiperfine Inetractions 158, 29, 2004.[3] L. Errico et al, Phys. Status Solidi c 2, 3576, 2005.