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La industria actual demanda continuamente el desarrollo de métodos eficientes yeconómicos para el tratamiento de aguas residuales. Dentro de esta área de interés, los materiales semiconductores encuentran un excelente campo de aplicación como catalizadores heterogéneos para la degradación de materiales orgánicos. La disposición de los mismos en forma de recubrimientos ofrece además la ventaja de ser fácilmente reutilizables y estables en el tiempo. Entre los materiales más promisorios para estas aplicaciones se encuentra el TiO2 por su bajo costo y alta estabilidad entre otras características. Sin embargo, su eficiencia se encuentra limitada debido al alto valor de su energía de band-gap que limita el aprovechamiento de la luz y la rápida recombinación de los pares e-h. Para superar estas limitaciones el dopado con metales se presenta como una alternativa que permite aumentar el rango espectral de aprovechamiento de la luz natural y también retardar la recombinación de los pares eh, aumentando así el tiempo de vida de las especies reactivas.Con el objetivo de obtener materiales fotocatalíticos, en este trabajo se prepararon recubrimientos de TiO2 sobre vidrio mediante la técnica sol-gel. Para aumentar la eficiencia de la fotocatálisis, se obtuvieron recubrimientos dopados con Ag mediante la misma técnica, agregando nanopartículas de Ag al sol precursor de los recubrimientos.Todos los recubrimientos resultaron libres de fisuras y bien adheridos al sustrato. El TiO2 cristalizó en fase anatasa en todos los casos. Se evaluó la eficiencia fotocatalítica de los distintos materiales cuantificando la degradación de naranja de metilo usando luz ultravioleta para activar los procesos fotocatalíticos. Se encontró que el dopado con Ag acelera la cinética de degradación del orgánico. A continuación se realizaron varios experimentos para identificar los procesos responsables del reforzamiento de la actividad fotocatalítica. Como resultado de estas investigaciones se encontró evidenciaexperimental que indica que por efecto del dopado se retarda la recombinación de los pares e-h, prolongando la vida útil de las especies reactivas y disminuye la energía del band-gap del semiconductor, por lo que se logra un mayor aprovechamiento de la energía incidente en forma de radiación.