IFIR 05409
INSTITUTO DE FISICA DE ROSARIO
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
DESARROLLO DE PELÍCULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO MEDIANTE SPUTTER MAGNETRON REACTIVO Y ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES
Autor/es:
BÜRGI J.M.; GARCÍA MOLLEJA J.; CRAIEVICH A.F.; NEUENSCHWANDER R.; DJOUADI M.A.; JOUAN P.-Y.; GÓMEZ B.; FEUGEAS J.
Lugar:
Río de Janeiro
Reunión:
Simposio; Simpósio Matéria 2010; 2010
Institución organizadora:
Revista Matéria
Resumen:
El nitruro de aluminio (AlN) es un compuesto semiconductor del grupo III-V. Tiene un band gap de energía de 6,2 eV, alta conductividad térmica, alta resistividad eléctrica y alta velocidad acústica superficial. Entre las diferentes técnicas de deposición de películas delgadas, sputtering magnetron reactivo es particularmente atractiva porque ofrece la posibilidad de variar las propiedades de las películas, baja temperatura de deposición y bajo costo. La performance de las películas de AlN está altamente influenciada por su microestructura, la cual es fuertemente afectada por las condiciones de deposición.
