Análisis comparativo de la reactividad de superficies metálicas con defectos

BATISTA, M.N.; MARTÍNEZ, A.E.

La Plata. Buenos Aires

Workshop; IV Encuentro de Física y Química de Superficies; 2009

INIFTA

<!-- @page { size: 21cm 29.7cm; margin: 2cm } P { margin-bottom: 0.21cm } --> La mayoría de los estudios en física de superficies se concentra en superficies que corresponden a planos de alta simetría, de bajos índices de Miller. Los estudios sobre superficies de altos índices de Miller han presentado un interés creciente en las últimas décadas, como así también aquellas superficies que presenten defectos en general (vacancias, adatoms y grupos de adatoms, kinks) responsables de la presencia de sitios de menor coordinación. Los átomos de estos sitios actuarían como sitios activos para las reacciones que se producen en las superficies. En este trabajo estudiamos las modificaciones a los sitios más favorables de adsorción atómica para H sobre las superficies de W(100) y Cu(110), en presencia de diferentes tipos de defectos. Se analizan los casos de vacancias, adatoms, superficies con escalones y kinks. Se determina la interacción átomo/superficie en cada caso, comparándose la energía de los sitios más estables de cada superficie con la de los sitios análogos de cada una de ellas en ausencia de defectos. En particular, se analiza el efecto de introducir defectos en sistemas caracterizados por la presencia de barreras de reacción (activados), como es el caso para la adsorción disociativa de H_2 en Cu(110), así como también donde existan caminos de reacción que no las presenten (no activados), como es el caso de la misma reacción en W(100).