Obtención de películas y polvos ferroeléctricos libres de plomo

A. FERNÁNDEZ SOLARTE; N. PELLEGRI; O DE SANCTIS

Rosario, Santa Fe

Congreso; 94 Reunión anual de Física, AFA; 2009

Asociación Física Argentina

La utilización de cerámicos libres de plomo, para la fabricación de partes electrónicas,  se ve favorecida sobre los cerámicos basados en plomo debido a los altos niveles de toxicidad de estos últimos. El reemplazo de estos componentes se ha convertido en un desafío tecnológico muy importante para lograr cumplir con parámetros de producción no contaminante y con las mismas o mejores propiedades ferroeléctricas, piezoeléctricas, etc. En este  trabajo se estudian composiciones libres de plomo para la generación de películas cerámicas con propiedades piezoeléctricas en la familia de composiciones:(KXNa1-X)NbO3 (NKN) y con distintos dopantes en los sitios A, B o ambos de la perovskita (ABO3). Se supone que estas composiciones poseen propiedades piezoeléctricas comparables con las composiciones comerciales de PZT o PMN-PT, utilizados para la generación de dispositivos tales como sensores y actuadores. En este trabajo se demuestra la posibilidad de producir películas depositadas sobre wafers de Si/SiO2/TiOx/Pt utilizando una técnica de sol-gel modificada o CSD (chemical solution deposition), a partir de una solución de precursores principalmente metalorgánicos. Para la deposición se utiliza la técnica de spin-coating con control de atmósfera. Se estudia la influencia de distintos tratamientos térmicos en la cristalización final de las muestras y su relación con las propiedades de las mismas. Las técnicas utilizadas para la caracterización de las películas y polvos de similares composiciones son: UV-Vis, DRX, AFM, EDAX, DTA-TG, etc.