IFIR   05409
INSTITUTO DE FISICA DE ROSARIO
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
SÍNTESIS Y CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ELÉCTRICA DE PELÍCULAS DELGADAS DE Y2O3 ZrO2
Autor/es:
S.A. BAROLIN; O.A. DE SANCTIS
Lugar:
Rosario, Santa Fe Argentina
Reunión:
Congreso; 94º Renunión Nacional de la Asociación de Física Argentina; 2009
Institución organizadora:
Asociación de Física Argentina
Resumen:
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El óxido de Circonio (ZrO2) dopado con
óxidos de menor valencia genera vacancias de Oxígeno en la
estructura que lo convierten en un excelente conductor iónico,
ampliamente utilizado en celdas de combustible. Impulsados por
aspectos de ahorro energético y ecológico los procesos de
fabricación tienden a miniaturizar los dispositivos. Esto ha llevado
a remplazar los componentes de los mismos por componentes integrados
basados en las tecnologías layer on layer. El objetivo del
trabajo ha sido la síntesis y caracterización estructural y
eléctrica de películas delgadas de x% mol Y2O3-ZrO2 con x en la
proximidad de 8, valor en el cual los cerámicos de ZrO2 dopados con
óxidos de cationes trivalentes tienen las mejores propiedades de
conducción iónica. Las películas se prepararon mediante la técnica
de spinning sobre substratos de alúmina y Pt/TiO2/SiO2/Si. El
estudio de la evolución térmica de la estructura cristalina se
realizó ex-situ sobre muestras tratadas a temperaturas entre 500ºC
y 1200 ºC mediante la técnica GI-XRD. La evolución térmica del
material se estudió por análisis térmico diferencial (DTA) de los
polvos equivalentes. La morfología y el tamaño de grano se
estudiaron mediante microscopia de fuerza atómica (AFM). Estructura
cristalina cúbica se observó en las películas en todo el rango de
temperaturas analizado (500ºC 1200ºC). A 800 ºC las técnicas
de caracterización utilizadas (AFM, GI-XRD y DTA), muestran una
buena cristalización. En películas depositadas sobre
Pt/TiO2/SiO2/Si tratadas a 800 ºC se depositaron electrodos de Pt
por sputtering. La muerte súbita de los capacitores (capacitores en
corto) fue inferior al 10%. Mediante un analizador de impedancia se
realizaron medidas de constante dieléctrica y pérdida dieléctrica
entre 10 Hz y 1 MHz en un rango de temperatura entre temperatura
ambiente y 350 ºC.