PREPARACION Y CARACTERIZACION DE PELICULAS DELGADAS DE (KXNa1-X)NbO3 (NKN) POR SOL-GEL

A. FERNÁNDEZ SOLARTE; N. PELLEGRI; A. FRATTINI; O DE SANCTIS

Viña del Mar , CHILe

Congreso; IBEROMET XI,X CONAMET/SAM; 2010

El reemplazo de los componentes contaminantes en la fabricación de partes electrónicas se ha convertido en un desafío tecnológico muy importante para lograr cumplir con parámetros de producción no contaminante y con las mismas o mejores propiedades ferroeléctricas, piezoeléctricas, etc. Por este motivo, la fabricación de partes cerámicas libres de plomo se ve muy favorecida. En este trabajo se estudia la preparación de películas delgadas en composiciones libres de plomo con propiedades piezoeléctricas en la familia:(KXNa1-X)NbO3 (NKN) y con distintos cationes dopantes tales como Li. Se estima que estas composiciones poseen propiedades piezoeléctricas comparables con las composiciones comerciales de PZT o PMN-PT, utilizados para la generación de dispositivos tales como sensores , actuadores y otros.  En este trabajo se demuestra la posibilidad de producir películas depositadas sobre wafers de Si/SiO2/TiOx/Pt utilizando la técnica de sol-gel, a partir de una solución de precursores metalorgánicos. Para la deposición se utiliza la técnica de spin coating con control de atmósfera. Se estudia la influencia de distintos parámetros controlados durante la preparación de las muestras y su relación con las propiedades de las mismas. Las técnicas utilizadas para la caracterización de las películas son: UV-Vis, DRX, AFM, EDAX, DTA-TG, elipsometría, caracterización eléctrica, etc. En la Fig. 1 se muestra la topografía de un film de NKN calcinado a 800 ºC obtenida por AFM con un exceso del 10% de Na y en la figura 2 los difractogramas de RX para muestras de NKN con 20% de exceso de Na calcinados a distintas temperaturas donde se ve claramente la formación de la fase pura de pervskita NKN siendo el agregado de Na necesario para combatir la volatilidad del mismo