(10-11) preferential orientation of polycrystalline AlN grown on (111) and (100) Si wafer by reactive sputter magnetron technique.

JUAN BURGHI; M. PICCOLI; E. BEMPORAD; J. GARCÍA MOLLEJA; ALDO CRAIEVICH; JORGE FEUGEAS; BOLMARO, RAÚL E.

Congreso; 14to Congreso SAM-CONAMET. Congreso Internacional en Ciencia y Tecnología de Metalurgia y Materiales; 2014

SAM-CONAMET

Filmes delgados poli-cristalinos de AlN fueron depositados sobre sustratos de Si mono-cristalino mediante la técnica "sputter" magnetrón reactivo DC utilizando un reactor de 5 litros. La estructura termodinámicamente estable del AlN es la wurtzitica (hcp). Normalmente se obtienen estructuras poli-cristalinas con orientación cristalina aleatoria o con alineaciones preferenciales según los planos (10-10) o (0002) (estructuras no-polar y polar respectivamente) paralelos a la superficie del sustrato. En este trabajo mostramos el desarrollo de filmes de AlN poli-cristalinos con una textura con planos (10-11) paralelos a la superficie, orientación que corresponde a una estructura semi-polar. Los análisis fueron hechos usando DRX en los modos Bragg-Brentano y por incidencia rasante, mientras que la textura fue determinada a través de la figura de polos. La estructura de los filmes presentan la típica estructura columnar con desarrollo perpendicular a la superficie del sustrato observada utilizando la técnica FIB-TEM. La composición de los mismos fue determinada mediante EDS en las respectivas secciones. El reactor utilizado es uno especialmente diseñado para ser utilizado en estudios de cinética de crecimiento por DRX en el sincrotrón del LNLS de Campinas, Brasil.