Rol de arreglos de vacancias en la reactividad de la superficie de W(100)

BATISTA, M.N.; MARTÍNEZ, A.E.

Bahia Blanca (Argentina)

Workshop; III Encuentro de Fisica y Quimica de Superficies; 2007

Departamento de Fisica UNSur

En estudios de estructura electrónica de la aleación superficial W(100)-c(2x2)Cu no se encontró una alteración significativa en la densidad electrónica de estados (DOF), al ser comparada con resultados de DOF para una superficie de W(100) preparada con un arreglo periódico c(2x2) de vacancias [1]. Se atribuyeron los cambios en la reactividad de la aleación superficial respecto de la superficie de W(100) a la presencia de las vacancias, más que a la inclusión del Cu. En este trabajo estudiamos la adsorción disociativa de H2 sobre una superficie de W(100) con una arreglo periódico c(2x2) de vacancias, que repite la geometría de la aleación de superficie. Determinamos los sitios más favorables de adsorción atómica y posibles caminos de disociación. El objetivo es comparar los resultados obtenidos para la reacción de interés con aquellos correspondientes a la superficie de W(100)-c(2x2)Cu, para analizar la relación existente entre la inclusión de Cu y la presencia de vacancias en los mismos sitios. Por otro lado, la comparación con W(100) será un primer paso en el estudio del rol de defectos (en este caso vacancias) en la reactividad.