INTEC 05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Fabricación y caracterización de heterojunturas de silicio poroso/SnO2:F
Autor/es:
GARCÉS, F.
Lugar:
Santa Fe
Reunión:
Jornada; XVIII Jornadas de jovenes investigadores de la Asociación del Grupo Montevideo (AUGM); 2010
Institución organizadora:
Universidad Nacional del Litoral
Resumen:
La deposición de óxidos transparentes conductores (TCO) sobre silicio poroso, permite la obtención de contactos con efectos de atrapamiento de luz, de gran interés para aplicar en dispositivos fotovoltaicos. Estos óxidos suelen tener agregados que funcionan como dopantes. En el caso del SnO2 estos elementos pueden ser el F, el Cl o el Sb. La inserción de estos dopantes en el TCO modifica la estructura del óxido alterando las propiedades eléctricas y estructurales del material. A efectos de estudiar estos efectos se sintetizaron varias soluciones precursoras variando la concentración del dopante, utilizando la técnica de Sol-Gel para la deposición de estos sobre los sustratos de silicio poroso. Las propiedades eléctricas y estructurales fueron obtenidas por medio de curvas J-V, difracción de rayos X y microscopía SEM, respectivamente.
