INTEC   05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Compuestos autoensamblados por implantación iónica. Caracterización electrónica de CuxN/Cu(001)
Autor/es:
L.J. CRISTINA; S. SFERCO; R.A. VIDAL; J. FERRÓN
Lugar:
La Plata (Buenos Aires)
Reunión:
Jornada; 4to Encuentro de Física y Química de Superficies (FyQS-IV); 2009
Institución organizadora:
INIFTA
Resumen:
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El Cu3N es un semiconductor de alta resistividad y baja
reflectividad. Existen varias formas de obtenerlo sobre diferentes substratos, y
sus propiedades eléctricas y ópticas dependen fuertemente del sistema de
crecimiento. Así, por ejemplo, la constante de red y su resistencia eléctrica
pueden ser variadas a partir de la presión de Ar cuando se lo crece por
pulverización catódica. Recientemente, el interés en este material se ha
renovado por las posibilidades de utilizarlo en el diseño de nanoestructuras
autoorganizadas [1].
Utilizando espectroscopias de fotoemisión (XPS) y de electrones Auger
(AES), y dispersión de iones lentos (LEIS) determinamos, en un trabajo reciente
[2], varias características del crecimiento de este sistema. Así, encontramos que
la energía de ligadura del N depende de la cantidad de N y de su disposición en
la matriz y que la formación del compuesto depende fuertemente de la energía de
implantación y temperatura de recocido. En el presente trabajo, caracterizamos
la estructura electrónica del film de CuxN formado sobre Cu(001) por
implantación iónica y posterior recocido. Utilizamos fotoemisión resuelta en
ángulo (ARUPS) y espectroscopia de pérdida de energía (ELS). Los resultados
experimentales son contrastados con cálculos de funcional densidad basados en
el programa Wien2k.
Basados en experimentos de LEIS y cálculos de DFT, encontramos que la
ubicación del N en el nuevo compuesto formado es en el valle de la cara (001),
a 0.3Å sobre la superficie. Con ARUPS determinamos la transición metal
semiconductor, para diferentes direcciones en la zona de Brillouin, producida por la incorporación del N en la
matriz de Cu. Mediciones de UPS, ELS y cálculos basados en DFT nos permiten
caracterizar en forma completa la evolución de la densidad de estados totales
(DOS) en la formación de la nueva estructura.
Este trabajo fue financiado por la ANPCyT (PICT
2006-1138) y la UNL a
través del programa CAID.
[1] F. M. Leibsle, Surf. Sci. 514, 33 (2002).
[2]
L.J.Cristina, R.A.Vidal and J.Ferrón, Surf. Sci. 602, 3454 (2008).