Optimización de espectrómetro fotoacústico para medición de coeficiente de absorción en semiconductores.

P. RINALDI; L.N. ACQUAROLI; R.R. KOROPECKI; R H BUITRAGO

Rosario

Congreso; 94° Reunión de la Asociación Física Argentina; 2009

Asociación Física Argentina

Con objeto de estudiar la densidad de estados de defecto en semiconductores amorfos y cristalinos en pel´ýcula delgada, se dise˜n´o un sistema para la medici´on de coeficiente de absorci´on por medio de espectrometr´ýa fotoac´ustica (PAS). El dise˜no propuesto es una cavidad de volumen m´ýnimo dentro de la cual se ilumina peri´odicamente la muestra. La se˜nal fotoac´ustica se obtiene mediante un amplificador sensible a fase y es referenciada a materiales de respuesta conocida, como grafito pulido y polvo de carb´on activado. Se presentan resultados preliminares de las pruebas realizadas en modo no resonante. Con respuesta en frecuencia (longitud de onda fija) se obtienen propiedades t´ermicas como difusividad y conductividad t´ermica; y con respuesta espectral (frecuencia fija), se obtiene el coeficiente de absorci´on suponiendo un perfil parab´olico del borde de absorci´on. El coeficiente de absorci´on es tratado por un proceso de deconvoluci´on que supone un elemento de matriz constante para la generaci´on de pares electr´on-hueco. De esta forma se obtiene la densidad de estados electr´onicos en el gap, asociados a defectos. Estos procedimientos se aplican para seguir la evoluci´on de la densidad de defectos del silicio amorfo, durante el proceso t´ermico de cristalizaci´on.