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Como parte de nuestros proyectos de nanomateriales y dispositivos implantables , utilizamos modelos computacionales a nivel de nanoescala para estudiar, y en lo posible predecir, el comportamiento físico-químico de dichos sistemas. En este trabajo, mostramos resultados sobre varios de los compuestos de interés en nuestro grupo, como los semiconductores estructurados en capas sulfuro de estaño (SnS) y seleniuro de estaño (SnSe), y el compuesto In4Se3. En base a nuestros resultados, podemos establecer su comportamiento electrónico, que en el caso del SnS ha resultado en la novedosa relocalización de la brecha prohibida (band gap), lo cual repercute fuertemente en los posibles usos de este material. Por determinación de las propiedades ópticas (función dieléctrica, índice de refracción complejo, absorción y reflectividad), pudimos explicar aspectos de la anisotropía del cristal, pudiendo comparar exitosamente nuestros resultados con los experimentales disponibles en la literatura. La absorción y dispersión de radiación es mayor en SnSe, y sería posible tomarlo como un factor de eficiencia determinante, ante la evaluación de posibles dispositivos. En In4Se3, encontramos un comportamiento anisotrópico 3D, lo cual podría tomarse como ventaja para el diseño de sensores con funcionalidad multidireccional. En ello, hemos colaborado con grupos experimentales en la modelización de una superficie ordenada (100) de monocristales In4Se3 , la cual está caracterizada por cadenas semiconductoras quasi-unidemensionales de Indio (In), que presentan una banda de energía superficial, con dispersión asimétrica de un ancho de ~1 eV a lo largo de la dirección de las cadenas de In, y una menos significativa aunque discernible, en la dirección perpendicular a las cadenas.