Diseño y construcción de un sistema de medición de coeficiente de absroción mediante PAS

P. RINALDI; R. URTEAGA; L. N. ACQUAROLI; R.R. KOROPECKI; R.D. ARCE; R.H. BUITRAGO

Buenos Aires

Congreso; AFA-SUF 2008; 2008

Con objeto de estudiar la densidad de estados de defecto en semiconductores amorfos y cristalinos en pel´ýcula delgada, se dise˜n´o un sistema para la medici´on resuelta en energ´ýa de coeficientes de absorci´on por medio de espectrometr´ýa fotoac´ustica (PAS). El dise˜no propuesto es una cavidad resonante consistente en dos c´amaras cil´ýndricas comunicadas por un tubo peque˜no formando un resonador de Helmholtz. La se˜nal fotoac´ustica se obtiene mediante un amplificador sensible a fase. Se presentan resultados preliminares de las pruebas realizadas tanto en modo resonante como no resonante, en pel´ýculas de silicio amorfo y nanocristalino. Los espectros obtenidos son tratados por un proceso de deconvoluci´on que supone un elemento de matriz constante para la generaci ´on de pares electr´on-hueco, y un perfil parab´olico para la densidad de estados. De esta forma se obtiene la densidad de estados electr´onicos en el gap, asociados a defectos, este procedimiento se aplica para seguir la evoluci´on de la densidad de defectos del silicio amorfo, durante el proceso t´ermico de cristalizaci´on.