INTEC   05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Modelización computacional de materiales por cambio de fase
Autor/es:
M.V. WALZ, E.A. ALBANESI
Lugar:
Concepcion del Uruguay (ER), Argentina, 28/08/2008
Reunión:
Jornada; III Jornadas de Difusion de Proyectos Investigacion-Extension INEX-UNER; 2008
Institución organizadora:
Facultad de Ccas. Salud-UNER
Resumen:
Una estructura semiconductora con fuertes ventajas ópticas fundamentadas en el cambio de fase reversible es el telururo de germanio (GeTe). Actualmente tiene un rol crucial en la obtención de dispositivos optoelectrónicos, con importantes aplicaciones ópticas como unidades de almacenamiento masivo por cambio de fase. El GeTe presenta fases estables a temperaturas cercanas a la ambiente. La fase más conocida es la cúbica. Sin embargo, ésta no es la fase estable a temperatura ambiente, sino la rombohédrica. En este trabajo reportamos resultados de la modelización del comportamiento electroóptico del GeTe rombohédrico. Realizamos nuestros cálculos usando el método FP-LAPW dentro de la Teoría de Densidad Funcional (DFT) y los efectos energéticos de intercambio-correlación son tratados con los esquemas de aproximación LDA y GGA. Las constantes ópticas fueron calculadas por la relación de dispersión de Kramers-Kronig. Presentamos la estructura de bandas y densidad de estados. Hemos discutido la tendencia de los estados por la presencia de la interacción espin-órbita, observando que este efecto introduce cambios en la estructura de bandas produciendo un marcado desdoblamiento de las mismas. Hemos encontrado un gap electrónico directo interbanda en el punto L de la 1er. zona de Brillouin y explicado el origen de las principales contribuciones. Luego calculamos la función dieléctrica compleja y parámetros ópticos característicos. En el rango visible el coeficiente de reflectividad es alto y con forma de meseta manteniendo una conducta óptica constante que podría ser aprovechada como ventana óptica de alta reflectancia en dispositivos ópticos (i) de almacenamiento de datos, producido por un láser grabador de baja potencia. Esto hace que esta fase cristalina pueda ser bien diferenciada de una fase amorfa a temperaturas mayores pero cercanas a la ambiente. __________________(i) Como parte de los proyectos: PICTO 30755 ANPCyT-UNER, 2007-2009; y PID 6071 UNER, 2003-2007.