Estudio de la evolución de la cristalización de películas delgadas de a-Si:H por medidas de reflectancia en UV

P. RINALDI; R.R. KOROPECKI; R H BUITRAGO

Salta

Congreso; 92 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2007

Asociación Física Argentina

Con el objetivo de disminuir los tiempos de producción de celdas solares de silicio en película delgada, se ha propuesto últimamente un procedimiento en el cual se deposita primero, con alta velocidad de deposición, una película amorfa conteniendo la estructura dopada deseada, y luego se la somete a procesos térmicos en horno bajo atmósfera de nitrógeno e hidrógeno, y eventualmente se la somete a RTA (Rapid Thermal Annealing) empleando luz infrarroja. Usualmente la película amorfa se deposita por evaporación, en nuestro laboratorio comenzamos un proyecto en el cual se parte de películas de silicio amorfo hidrogenado preparado por Deposición Química en Fase Vapor Asistida por Plasma (PECVD). Uno de los aspectos importantes del proceso es el control de la cristalización. En este trabajo se presentan resultados preliminares de un estudio del grado y características de la cristalización de las películas usando espectrometría UV. Se estudia la correlación entre la magnitud de dos bandas que aparecen en 276 y 366 nm, y el grado y calidad de la cristalización. Para esto se diseñó y construyó un accesorio para medir reflectancia en UV, y se lo utilizó sobre un conjunto de muestras de a-Si:H con distintos grados de recocido, y sobre muestras de silicio monocristalino sometidas a un tratamiento de degradación superficial. Se relevaron también los espectros Raman de las muestras. Los resultados permiten definir, a partir de los datos de reflectancia, un factor de mérito que puede usarse para establecer la calidad cristalina de las películas.