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La provisión de energía eléctrica en los satélites está dada en casi la totalidad de los casos por sistemas fotovoltaicos, siendo las celdas solares el principal componente de dicho sistema, y el GaAs y el InGaP los materiales fotovoltaicos más importantes en aplicaciones espaciales. Dada la importancia que tienen este dipo de dispositivos se realizó la optimización y simulación numérica de una celda de GaAs mediante el código D-AMPS-1D. En este trabajo se detallan algunos de los parámetros necesarios para la simulación numérica, como los offsets de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores ylos índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular. offsets de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores y los índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular.offsets de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores y los índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular.