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El silicio poroso (SP) puede modelarse como una red de nanoalambres de silicio nanocristalino recubiertos por una capa de silicio amorfo, que contiene especies del tipo ºSiH, =SiH2, , ºSiO2, entre otras [1]. En este trabajo, las muestras fueron desprendidas de su sustrato precursor y transferidas a un sustrato de vidrio con electrodos de aluminio previamente fabricados. Las medidas se realizaron en vacio. Se observó que para voltajes inferiores a cierto umbral, la corriente crece para después disminuir, mientras que para voltajes superiores crece monótonamente sin saturar. Las curvas experimentales se estudiaron utilizando un modelo desarrollado para dispositivos MOS, que vincula el llenado de trampas existentes en el material y la creación de nuevas trampas, a través de cambios configuracionales que pueden incluir el desprendimiento de hidrogeno de los hidruros de silicio[2]. [1]. El mecanismo propuesto para la creación de trampas durante la aplicación de un voltaje puede explicar otros resultados experimentales, tales como la dependencia con la historia, la histéresis en las curvas corriente-voltaje y las curvas anómalas de corriente de depolarización térmicamente estimulada.