Constantes térmicas en silicio amorfo hidrogenado mediante espectrometría fotoacústica.

P. RINALDI; R.R. KOROPECKI; R H BUITRAGO

Montevideo

Congreso; Reunión Conjunta AFA-SUF 2011; 2011

AFA-SUF

Con objeto de estudiar la transición del estado amorfo al cristalino de películas delgadas de a-Si:H, se analiza la evolución de constantes térmicas por medio de espectrometría fotoacústica (PAS) cuando se someten las muestras a recocidos a distintas temperaturas. El sistema propuesto es una cavidad de volumen mínimo no resonante dentro de la cual se ilumina periódicamente la muestra. La señal fotoacústica se obtiene mediante un amplificador sensible a fase y es referenciada al silicio cristalino material cuya  respuesta es conocida. A partir de los espectros en frecuencia (λ=fijo) se obtienen propiedades térmicas como difusividad, conductividad térmica y capacidad calorífica, las cuales cambian en las diferentes etapas de recocido, indicando una transición de fase a una temperatura de 430 °C, cuyo origen puede asociarse con  cambios estructurales que ocurren durante un proceso de efusión de hidrógeno. Estos procedimientos se aplican para seguir la evolución estructural del silicio amorfo durante el proceso  de cristalización.