Estudio de las propiedades ópticas del In4Te3 y corrección electrón-electrón en la estructura de bandas de los compuestos In4Te3 e In4Se3

N.V. GONZALEZ LEMUS; E. A. ALBANESI

Montevideo

Congreso; Reunion conjunta XII Reunion Sociedad Uruguaya de Fisica y 96 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2011

SUF-AFA

Los compuestos In4Te3 e In4Se3 son materiales semiconductores con estructura cristalina ortorr´ombica en capas, con enlaces dentro de las capas o laminas del tipo covalente e intercapas del tipo van der Waals. Esta estructura heterog´enea da lugar a que se presente anisotrop´ýa en diversas propiedades estructurales y electr´onicas. Aqu´ý presentamos un estudio de la funci´on diel´ectrica (parte real y compleja), ´ýndice de refracci´on, reflectividad, coeficiente de absorci´on y conductividad del In4Te3, basados en c´alculos de primeros principios empleando la aproximaci´on de pseudopotenciales dentro de la teor´ýa de la funcional densidad (DFT) y con el potencial de intercambio y correlaci´on dado por la aproximaci´on del gradiente generalizado (GGA). En este trabajo corregimos los valores de energ´ýa obtenidos mediante la DFT para las primeras bandas de conducci´on de los compuestos In4Te34Te3 e In4Se3 son materiales semiconductores con estructura cristalina ortorr´ombica en capas, con enlaces dentro de las capas o laminas del tipo covalente e intercapas del tipo van der Waals. Esta estructura heterog´enea da lugar a que se presente anisotrop´ýa en diversas propiedades estructurales y electr´onicas. Aqu´ý presentamos un estudio de la funci´on diel´ectrica (parte real y compleja), ´ýndice de refracci´on, reflectividad, coeficiente de absorci´on y conductividad del In4Te3, basados en c´alculos de primeros principios empleando la aproximaci´on de pseudopotenciales dentro de la teor´ýa de la funcional densidad (DFT) y con el potencial de intercambio y correlaci´on dado por la aproximaci´on del gradiente generalizado (GGA). En este trabajo corregimos los valores de energ´ýa obtenidos mediante la DFT para las primeras bandas de conducci´on de los compuestos In4Te34Te3, basados en c´alculos de primeros principios empleando la aproximaci´on de pseudopotenciales dentro de la teor´ýa de la funcional densidad (DFT) y con el potencial de intercambio y correlaci´on dado por la aproximaci´on del gradiente generalizado (GGA). En este trabajo corregimos los valores de energ´ýa obtenidos mediante la DFT para las primeras bandas de conducci´on de los compuestos In4Te34Te3 e In4Se3, mediante la interacci´on de muchos cuerpos electr´on-electr´on en el marco de la teor´ýa de perturbaciones GW, obteniendo las masas efectivas corregidas para electrones y huecos en direcciones pr´oximas al punto �� donde aparecen los band gaps.4Se3, mediante la interacci´on de muchos cuerpos electr´on-electr´on en el marco de la teor´ýa de perturbaciones GW, obteniendo las masas efectivas corregidas para electrones y huecos en direcciones pr´oximas al punto �� donde aparecen los band gaps.�� donde aparecen los band gaps.