Análisis de un dispositivo optoelectrónico por medio de simulaciones numéricas

MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; ARIEL PABLO CÉDOLA; SERGIO BARÓN; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ

Buenos Aires, Argentina

Workshop; XV Workshop Iberchip 2009; 2009

Facultad de Ingeniería, UNLP, La Plata.

El presente trabajo expone el desarrollo de programas de simulación de dispositivos electrónicos, mediante el modelado de los mismos. Los códigos de cálculo resuelven ecuaciones que representan los procesos físicos que ocurren en los dispositivos, con la finalidad de poder determinar sus propiedades de funcionamiento y la respuesta frente a diferentes tipos deexcitaciones, en particular cuando están expuestos a la radiación espacial, donde se tienen en cuenta partículas tales como protones, neutrones y electrones. La resolución de estas ecuaciones permite, bajo diferentes condiciones de operación y de funcionamiento, reproducir resultados experimentales, como también obtener una predicción delas características eléctricas del dispositivo irradiado, haciendo posible investigar las consecuencias de los daños permanentes y transitorios.Poder conocer y caracterizar los efectos de la radiación espacial es sumamente importante para el diseño de adecuados métodos de protección de dispositivos electrónicos situados en sistemas en órbita. El propósito es determinar mediante simulación, el comportamiento del dispositivo estudiado en un medioambiente de funcionamiento semejante al real. En este sentido, el análisis de los efectos de la radiación en dispositivos semiconductores mediante simulaciones juega un papel primordial.