Fabricación de dispositivos fotónicos integrados basados en la tecnología del Nitruro de Silicio.

JEFFRY H. MARTÍNEZ VALDIVIEZO; ROBERTO PEYTON; DAMIÁN PRESTI; CLAUDIO FERRARI; FABIÁN VIDELA; GUSTAVO ADRIAN TORCHIA; ALEJANDRO FASCISZEWKI

Bernal

Jornada; Jornada de investigadores en formación en CyT 2021.; 2021

Universidad Nacional de Quilmes

En las últimas décadas, la fotónica de silicio se ha logrado establecer como una tecnología pujante en el desarrollo de Circuitos Fotónicos Integrados (PICs) gracias a su compatibilidad con los procesos estándar de fabricación CMOS, y la alta integración ofrecida. Los dispositivos fabricados bajo esta plataforma se utilizan ampliamente en comunicaciones ópticas y también como sensores en distintos campos de aplicación. Entre las principales ventajas que presenta esta tecnología se destacan: el gran ancho de banda permitido en la región de comunicaciones ópticas; la inmunidad al ruido electromagnético y la posibilidad de producción de chips fotónicos a gran escala.En este trabajo presentamos el proceso de desarrollo completo de PICs integrados en Si3N4 cuyo destino son las comunicaciones ópticas, en particular dispositivos divisores de potencia (splitters) con diseños convencionales y un diseño MMI+CCT con el propósito de minimizar las pérdidas por curvatura y el tamaño final del dispositivo.