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La aplicación de pulsos eléctricos sobre algunas interfaces óxido-metal puede producir cambios no-volátiles y reversibles en el valor de su resistencia eléctrica (conmutación resistiva), obteniéndose, en determinadas condiciones, por lo menos dos niveles de resistencia bien separados. Estos valores permiten definir un estado alto o bajo de resistencia, lo que habilita su aplicación en dispositivos de memoria del tipo RRAM, usualmente llamados en la actualidad ?memristores? [1]. Ya hace algunos años se propuso un modelo que describe exitosamente los ciclos de histéresis resistivos de los memristores basados en óxidos complejos (manganitas, cupratos superconductores, etc) [2]. Este modelo señala a la zona interfacial y a la migración de vacancias de oxígeno en ella como la principal responsable de las propiedades memristivas. Por depender sólo de una interfaz estas memorias no-volátiles son prometedores reemplazos de las memorias flash tanto por la capacidad de aumentar la densidad de la información que guardan como por su resistencia a medios hostiles (alta radiación, grandes excursiones térmicas, etc). En este trabajo presentamos el estudio de los efectos de la radiación  sobre las propiedades memristivas de dispositivos conformados por interfaces Au-YBa2Cu3O7 ?  (YBCO), crecidos gracias a técnicas de litografía óptica, donde el YBCO fue depositado mediante PLD como película delgada (150 nm) sobre sustratos monocristalinos de STO y los contactos superiores de Au (45 nm), en geometría planar, mediante sputtering. Se estudiaron los ciclos de histéresis resistiva, así como las características corriente-tensión a distintas temperaturas en el rango de 80 K ? 300 K con el fin de poner en evidencia los efectos producidos por dosis de decenas de kGy de radiación  sobre los parámetros microscópicos relevantes [3]. Mostramos que los dispositivos siguen operativos para las dosis  empleadas y que su efecto principal es el de incrementar los pozos de potencial de las trampas de portadores que determinan las propiedades de conducción de la interfaz.Referencias[1]Para más información, ver http://www.scholarpedia.org/article/Resistive_switching.[2]M. J. Rozenberg et al., Phys. Rev. B 81, 115101 (2010).[3]Ver en C. Acha et al, APL 109 (2016) 011603 y JAP 121 (2017) 134502 una presentación del modelo circuital empleado.

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