INVESTIGADORES
ALVIRA Fernando Carlos
congresos y reuniones científicas
Título:
Efectos de banda en la transferencia de carga en la interacción He/Si(100)
Autor/es:
I. VAQUILA; F. C. ALVIRA; C. SLUTZKY; J. FERRÓN
Lugar:
San Carlos de Bariloche
Reunión:
Congreso; 88a Reunión Asociación Física Argentina;; 2003
Resumen:
Utilizando la técnica de tiempo de vuelo en espectroscopia de iones
lentos (LEIS TOF), hemos medido la fracción de carga de He+ dispersado
por los dominios 2x1 de una superficie de Si (100). Utilizando
simulaciones de MonteCarlo (SARIC/Marlowe) podemos determinar las
condiciones de maximización de la contribución superficial. Los
experimentos son realizados en una cámara de ultra alto vacío, con un
tubo de vuelo de 1,45m de longitud y un ángulo de dispersión de 45o.
Presentamos resultados en función de la energía del He+ ( 2 - 8keV ) y
del ángulo de incidencia
entre ( 5 - 35o ). La variación en la densidad de estados superficiales
(DOS) la producimos de dos formas, i) a través de la adsorción de
hidrógeno, lo que produce la eliminación de los estados superficiales
debidos a los orbitales no apareados (dangling bonds) y ii) a través de
la amorfización
de la superficie lo que produce un efecto inverso, incremento de los
estados superficiales, debido a la introducción de defectos. Discutimos
estos efectos en relación al estado de carga de los iones/átomos
reflejados.