Construcción y caracterización de memorias resistivas basadas en TiO2

IGNACIO ABINZANO; CARLOS PERALTA; ARIEL KLEIMAN; ADRIANA MÁRQUEZ; DANIEL VEGA; CARLOS ACHA

Bariloche

Encuentro; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados (NANO 2017); 2017

Se construyeron memorias resistivas de tipo capacitor en base a TiO2 depositado sobre Ti mediante la técnica de descargas tipo arco catódico, mientras que los electrodos superiores de Pt fueron depositados por sputtering. Se emplearon dos espesores para la capa de TiO2, de 50nm y120 nm aproximadamente. Para obtener diferentes fases cristalinas de TiO2, el crecimiento se realizó con temperaturas de 200 ºC, 400 ºC y 500 ºC, consiguiendo así la fase amorfa, anatasa y rutilo, respectivamente. Algunas de las muestras crecidas a 200 ºC en fase amorfa se sometieron a un tratamiento térmico de 400 ºC durante 1 hora para su cristalización a fase anatasa posterior al crecimiento. Las muestras fueron caracterizadas mediante microscopía SEM y por difracción de rayos X se verificó la presencia de las fases cristalinas deseadas.Mediante la realización de ciclos de características corriente-tensión se estudiaron las capacidades de conmutación resistiva (CR) de los distintos dispositivos a temperatura ambiente, obteniéndose valores altos y bajos de resistencia gracias a una CR del tipo bipolar, sin la necesidad de realizar tratamientos previos de pre-formado. Se analizó la repetitividad y durabilidad de estos dispositivos y se propuso, en alguno de los casos, un circuito equivalente que da cuenta de los mecanismos de conducción dominantes.