Resistividad independiente de la temperatura en un sistema a dos bandas

RAMUNNI, V.P.; TROPER, AMOS

La Plata

Congreso; 102 a Reunión de la Asociación Fı́sica Argentina; 2017

Una extensión del cálculo de la resistividad independiente de la temperatura de Blackman y Elliot [1] fue realizado por Troper y Gomez [2] considerando un modelo a 2 bandas hibridizadas (s,d), en orden de describir la contribución a la resistividad a altas temperaturas asociada a las impurezas de tierras raras embebidas en un metal de transición. En la Ref. [1], una ecuación integral del tipo Dyson fue derivada para el propagador de un electrón, s-s, usando el formalismo de las funciones de Green. La ecuación fue resuelta a segundo orden en el parámetro de intercambio en ausencia de orden magnético. Fuera de esta solución, una expresión para la resistividad independiente de la temperatura fue obtenida en términos del cambio de fase y el acoplamiento deintercambio. La idea que subyace en el presente trabajo es la posibilidad de separar los efectos de dispersión inducida por impurezas d-d de aquella inducida por impurezas s-d. De esta manera, hemos sometido nuestraspredicciones teóricas a la verificación experimental. La comprobación experimental puede realizarse a partir de los datos experimentales disponibles, ası́ como de experimentos pensados, a partir de cálculos ab-initio. Por lo tanto, pretendemos investigar sistemáticamente el comportamiento de las magnitudes definidas en nuestro modeloeliminando el parámetro de hibridación fenomenológico s-d del d-d. Para hacer esto, referimos todos los resultados a la resistividad de De Gennes-Friedel [3], asociada a las aleaciones de La-Gd. No se espera que exista exceso carga en estos sistemas, por lo tanto el modelo presente es plausible de ser aplicado. Otros casos lı́mites son proporcionados por impurezas Lu e Y (sin momentos de espı́n) diluidas en una serie de elementos de transición (T-Lu o T-Y). Este es un caso análogo al de una impureza de transición diluida en un metal de transición,puesto que la capa del Lu (o Y) 4f esta completamente llena (vacı́a). Estimamos esta contribución a través de nuestro modelo con el fin de comparar coherentemente la contribución debido sólo a la dispersión de spin. De hecho, todos los cálculos realizados se comparan con valores experimentales de resistividad de aleaciones T-Lu o T-Y. Además, se considera la relación de las masas de bandas efectivas en un modelo de bandas homotéticas.