INFLUENCIA DEL OZONO EN LA FORMACIÓN DE UN DIELÉCTRICO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS EXCEPCIONALES

CYNTHIA QUINTEROS

Encuentro; XVI Encuentro de superficies y materiales nanoestructurados; 2016

Universidad de Buenos Aires (Depto de Física) - Comisión Nacional de Energía Atómica (Gerencia Física - CAC)

La técnica Atomic Layer Deposition (ALD) se encuentra ampliamente difundida en el crecimiento de películas dieléctricas, tanto por su capacidad de crecer espesores del orden de la capa atómica como por su versatilidad respecto a las temperaturas y presiones que pueden emplearse durante el proceso. La técnica consiste en la activación de la superficie sobre la que se deposita el material, previa a la inserción de los precursores que, mediante interacciones químicas, conformarán el compuesto que se desea lograr. Sin embargo, poca es la atención que se le presta a la eventual modificación que pueden sufrir las capas previamente depositadas a la inserción del sustrato en la cámara. En este trabajo se evidencian los cambios producidos en una capa metálica de titanio (depositado por sputtering), debido a la deposición de HfO2 por ALD empleando ozono como precursor, y las consecuencias eléctricas que conlleva dicha modificación. El análisis de la estructura final obtenida se efectuó por medio de XRR y SIMS, y permite justificar las mediciones de capacidad y de estrés eléctrico efectuadas. Un proceso de fabricación complementario, que prescinde del empleo del ozono como precursor, permite recuperar el comportamiento habitualmente reportado para HfO2 como dieléctrico.