Primeras mediciones de defectos en celdas solares con la tÉcnica Deep Level Transient Spectroscopy

J.A. GARCÍA; M. ALURRALDE; J. PLÁ

Villa de Merlo, San Luis

Congreso; 100a. Reunión de la Asociación Física Argentina; 2015

Asociación Física Argentina

El estudio del daño por radiación en celdas solares es de primordial importancia para el diseño de los paneles solares en misiones satelitales. La caracterizacióon del efecto del daño por radiación en celdas solares se realiza utilizando distintas técnicas, siendo una de ellas la espectroscopía del transitorio de niveles profundos (Deep Level Transient Spectroscopy,DLTS) que permite determinar de forma experimental la estructura de defectos de una unión semiconductora mediante la cuantificación de su energía, sección de captura y densidad. En el presente trabajo se muestran las primeras mediciones realizadas con la técnica DLTS en el Departamento Energía Solar (DES) de la CNEA. Estas mediciones, realizadas conun arreglo experimental desarrollado en el DES, permiten, por un lado, comprobar la funcionalidad de este y verificar las simulaciones teóricas basadas en expresiones analíticas del transitorio de la capacidad de la juntura desarrolladas anteriormente y, por otro, comenzar con el estudio de daño por radiación en celdas solares de diferentes materiales. Semuestran los resultados del análisis de celdas solares de silicio irradiadas con protones de 10 MeV en el acelerador TANDAR, así como primeras mediciones realizadas sobre celdas basadas en semiconductores III-V