INVESTIGADORES
SCHVEZOV Carlos Enrique
congresos y reuniones científicas
Título:
Mathematical Modeling of Dislocation-Stress Fields during Semiconductor Crystal Growth
Autor/es:
C. SCHVEZOV
Lugar:
San José,Costa Rica
Reunión:
Congreso; ICES´97, Special Symposium Computational Mechanics for Electronic Devices/Components; 1997
Institución organizadora:
ICES
Resumen:
Disponible la versión impresa en sede del CONICET.
