Dispositivo experimental para la deposición electroquímica de Fosfuro de Indio.

: GUEIJMAN,; SCHVEZOV, C.; LAMAGNA, A.

Resistencia-Chaco - Argentina

Congreso; : Reunión de Comunicaciones Científicas y Tecnológicas 1996; 1996

Universidad Nacional del Nordeste

En la actualidad existe un gran interés en la búsqueda de métodos eficaces y económicos para obtener compuestos semiconductores del grupo III-V para su utilizaciónen un amplia gama de dispositivos en diversas ramas de la industria. Mediante un método de deposición electroquímica se obtuvieron depósitos de Fosfuro de Indio sobre sustratos de Titanio. Los depósitos fueron obtenidos a partir de soluciones acuosas de Cloruro de Indio (98% de pureza) y de Hexafluor-fosfuro de Amonio (99.99% de pureza) con concentraciones 1,25 mM y 58,62 mM, respectivamente. El pH de la solución se mantuvo en un valor cercano a 2,00 que fue ajustado previamente mediante la adición de unas gotas de ácido clorhídrico. Los depósitos fueron efectuados a temperatura ambiente, se trabajó con densidades de corriente de 20 a 140 mA/cm2 y se emplearon tiempos de deposición de entre 7 minutos a una hora. Los estudios preliminares efectuados mediante el microanálisis dispersivo en energía en un microscopio electrónico de barrido (EDAX) y los primeros análisis cuantitativos indican la presencia de un compuesto casi estequiométrico de Fosfuro de Indio.