Caracterización de celdas solares III-V irradiadas con protones de 10MeV

E. YACCUZZI; S. RODRÍGUEZ; J. GARCÍA; M. ALURRALDE; J. PLA

San Carlos de bariloche

Congreso; 98a Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2013

Asociación Física Argentina

En este trabajo se presentan los resultados de un experimento de daño por irradiación con protones de 10MeV realizado sobre celdas solares III-V. Los dispositivos irradiados fueron una celda triple juntura InGaP/GaInAs/Ge, una celda homojuntura de GaAs, una celda homojuntura de InGaP y un diodo de Ge. Se realizaron caracterizaciones de curvas I-V a oscuras e iluminadas y respuesta espectral de estos dispositivos antes, durante y después dela irradiación. Se simuló el daño introducido sobre las celdas utilizando el codigo TRIM, para determinar la cantidad de colisiones generadas en cada dispositivo, y el software D-AMPS-1D (New Developments - Analysis of Microelectronic and Photonic Devices - One Dimensional ), para simular las curvas I-V iluminadas y la respuestra espectral. De los 4 dispositivos irradiados, el que presentó mayor daño fue la celda de GaAs mostrando un deterioro de un 50% en su corriente de cortocircuito y una fuerte disminución en su respuesta espectral. En los otros dispositivos el daño producido no afectó de manera apreciable las curvas I-V a oscuras y bajo iluminación, ni sus respuestas espectrales. Esta experiencia se realizó en el marco de la colaboración bilateral MINCyT-MICINN 2012-2013 en curso entre el Instituto de Energía Solar-Universidad Politécnica de Madrid y el Departamento Energía Solar-CNEA.