Fotorrespuesta de materiales calcogenuros a la iluminación UV

RODRÍGUEZ, D.; STRUSIAT, P.; ROCCA, J.A.; CONDE GARRIDO, J. M.; UREÑA, M.A.; FONTANA, M.

Congreso; 107a Reunión de la Asociación Física Argentina; 2022

Asociación Física Argentina

nvestigamos la fotoconductividad UV y la respuesta transitoria de materiales calcogenurosTe80Ge20 y Te50Se50. Para la fabricación del sensor, se utilizó como sustrato una oblea de Si(100) tipo p con una capa de SiO2 de 300 nm. Usando procedimientos de microfabricaciónconvencionales, se fabricó un electrodo de oro interdigitado mediante evaporación catódicade aproximadamente 250 nm de espesor sobre el sustrato. Mediante la técnica de deposiciónpor ablación láser (PLD), utilizando blancos en volumen de las composiciones Te80Ge20 yTe50Se50. Las medidas de detección del sensor se realizaron a temperatura ambiente utili-zando iluminación LED de longitud de onda de 395 nm y una potencia de la luz inferiora 1,73 mW/cm2. Las curvas de subida y bajada de la fotocorriente se ajustan bien a unafunción biexponencial. En ambos casos, la fotocorriente estuvo dominada por una respuestarápida inicial de aproximadamente 3 s. Los resultados sugieren que los materiales calcogenu-ros obtenidos a través del método PLD son prometedores para aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos.