SIMULACIÓN NUMÉRICA DE CELDAS SOLARES DE Ge

M. BARRERA; I. REY-STOLLE; F. RUBINELLI; J. PLA

AVANCES EN ENERGIAS RENOVABLES Y MEDIO AMBIENTE

ASOCIACIÓN ARGENTINA DE ENERGÍA SOLAR

Año: 2010 vol. 14 p. 463 - 469

0329-5184

Actualmente las celdas solares de Ge han cobrado relevancia debido a que pueden ser utilizadas tanto en homojunturas como en multijunturas, siendo ejemplo de la primera situación el caso de  los dispositivos para aplicaciones TPV (Thermophotovoltaics), y del segundo caso las celdas  InGaP-GaAs-Ge para aplicaciones espaciales o terrestres. Para este trabajo se simularon  homojunturas con estructura InGaP-Ge n-p, con características similares a la celda bottom de una celda de triple juntura. Los resultados fueron comparados con dispositivos de idéntica  estructura y para usos con concentración elaborados en el Instituto de Energía Solar de la  Universidad Politécnica de Madrid. Dado que el emisor de una homojuntura de Ge puede ser  elaborado por dos métodos, difusión o crecimiento epitaxial, se realizó la comparación de los  parámetros eléctricos obtenidos mediante la simulación numérica de una homojuntura n-p con emisor con perfil gaussiano y con juntura abrupta. Los parámetros eléctricos obtenidos no  muestran diferencias si se toma, en el caso abrupto una concentración media de portadores en el  emisor y resultan acordes a los medidos experimentalmente. Se estudió también la eficiencia  cuántica externa y la influencia de la capa de InGaP en el dispositivo.