SIMULACIONES NUMÉRICAS DE CELDAS DE SILICIO CRISTALINO PARA USO ESPACIAL

S.M. YANG; J. PLA

AVANCES EN ENERGIAS RENOVABLES Y MEDIO AMBIENTE

Asociación Argentina de Energías Renovables y Ambiente

Año: 2006 vol. 10 p. 467 - 473

0329-5184

Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n+pp+ y n+p, espesores entre 100 mm y 300 mm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 ohm.cm y 10 ohm.cm, y en condiciones BOL (beginning of life) y EOL (end of life). Se analizó la influencia de la estructura de la celda, el espesor de la misma y el daño por radiación sobre la respuesta eléctrica de los dispositivos. Se encontró, entre otros resultados, que la pasivación es más efectiva que el BSF (back surface field) para combatir la recombinación superficial; además, una vez pasivada la c.p., el BSF introduce sólo una pequeña mejora. Asimismo, se observó el aumento de la resistencia al daño por radiación con la resistividad de la base rb , en paralelo a una cierta disminución de la eficiencia con rb.