INVESTIGADORES
URTEAGA raul
congresos y reuniones científicas
Título:
Conmutación de la polaridad de un diodo Al/SP/Al
Autor/es:
O. MARÍN; RAÚL URTEAGA; D. COMEDI; R.R. KOROPECKI
Lugar:
Carlos Paz
Reunión:
Congreso; 97 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2012
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
En este trabajo se estudiaron las propiedades de transporte en estructuras aluminio/silicio poroso/aluminio (Al/SP/Al) tipo sándwich sometidas a pulsos de tensión elevados. Las capas de SP para las distintas muestras fueron fabricadas vía anodización de silicio cristalino. Para esto se usó una solución de HF:Etanol en proporción 1:2 y una densidad de corriente de anodizado de 20 mA/cm2 obteniéndose muestras de 750 nm  y 60% de porosidad. Después de obtenida la capa de SP, se aplicó una corriente de elecropulido de 360 mA/cm2 durante 4 segundos, lo cual permitió la separación de la película porosa del sustrato precursor, la misma fue transferida a un vidrio con electrodos de aluminio previamente fabricados, finalmente, para completar el dispositivo se evaporó un segundo electrodo de aluminio sobre la cara superior del SP.  Las curvas IV de estos dispositivos recién construidos mostraron un comportamiento simétrico. Después de aplicar por un tiempo prolongado un campo eléctrico elevado EP  al dispositivo (~ 7 MV/m), se observó un comportamiento tipo diodo, favoreciéndose la conducción en el sentido en el que se aplicó el campo eléctrico. Se encontró para todos los casos estudiados que al invertir la dirección de EP, también se invierte la dirección preferencial de conducción, observándose de esta manera una conmutación de la polaridad; dicha conmutación es estable y se logró reproducir en una misma muestra alternando la dirección del campo eléctrico. Además se observó una disminución de la corriente máxima en la curva IV después de someter la muestra a un cortocircuito que no depende únicamente de la magnitud de EP. Esto fue interpretado a través de la acumulación de carga positiva en el silicio poroso y la lenta relajación de dicha carga atrapada. Como probable mecanismo para la formación del diodo y la conmutación del mismo, se propone la acumulación preferencial de carga positiva en la interfaz formada entre el silicio poroso y el contacto de aluminio polarizado positivamente. Este efecto podría utilizarse para la construcción de memorias de tipo resistivo.