Structural properties of porous silicon/SnO2:F heterostructures

GARCES F.A.; RAÚL URTEAGA; R.R. KOROPECKI; R.D. ARCE

San Miguel de Tucumán

Congreso; IV Reunión Nacional Sólidos 2011; 2011

Unversidad Nacional de Tucumán

Se depositaron películas de óxido deestaño dopado con flúor (SnO2:F)sobre sustratos de vidrio usando latécnica de spray pirolisis. Como precursordel óxido se utilizó el tetraclorurode estaño y como dopante elfluoruro de amonio, Las sales sedisolvieron en una mezcla de etanol yagua desionizada para la hidroxilacióny formación del sol de estaño. Laconcentración del dopante fue fijadaal 5% en relación al porcentaje de Snpresente en la solución de SnCl45H2O 0.2 M. Diferentes técnicas fueronutilizadas para la caracterizaciónestructural y morfológica de laspelículas, incluyendo difracción derayos X (DRX), microscopia de fuerzaatómica (AFM) y espectroscopia detransmisión (UV, vis.). Los espectrosde rayos X permitieron observar queal aumentar los tiempos de deposiciónse observa una amorfización delmaterial, presentando una disminuciónen el tamaño de cristalito yobservándose una disminución de lasorientaciones preferenciales como la(200). Esto se corresponde conmediciones superficiales de AFM, endonde se detecta un aumento de larugosidad superficial y a su vez unaumento en el tamaño de grano, loque sugiere la formación de islas demayor tamaño con el aumento deltiempo de deposición. Además seanalizó las resistividades de laspelículas sintetizadas, observándoseun mínimo de resistividad paramuestras crecidas sobre 380 ºC con10 minutos de deposición. Paratiempos mayores la resistividad delmaterial aumenta, lo que se asociacon el aumento de la rugosidadsuperficial y a su vez con el tamaño degrano.