Efecto de la oxidación sobre las propiedades de emisión de electrones de silicion nanoestructurado

G. D. RUANO; J. FERRÓN; R. R. KOROPECKI

Buenos Aires-Buenos Aires- Argentina

Congreso; 93º reunion de la Asociacion Fisca Argentina; 2008

Asociocion de Fisica Argentina- Sociedad Uruguaya de Fisica

En este trabajo se estudia la reducción reversible del coeficiente de emisión  de electrones secundarios (SEE) producida por bombardeo iónico. Se utiliza un modelo que atribuye el efecto a  cambios en dipolos dinámicamente mantenidos, que están relacionados con los rangos de penetración de iones y electrones. Esta configuración de cargas evita que los electrones escapen del silicio nanoporoso por lo que la SEE resulta dependiente del flujo de iones incidentes Dado que el momento dipolar depende de la distancia que separa las regiones cargadas, así como también de la conducción eléctrica en el medio poroso, se obtiene información mediante la manipulación de estas propiedades. Cambiando la masa (He+ y Ar+) y la energía de los iones incidentes (1-5keV) se varía el rango de los iones. Por otro lado mediante la oxidación controlada de la estructura nanoporosa es posible cambiar la resistividad efectiva del material nanoestructurado. Se realizaron experimentos con iones de diferentes masas sobre muestras con diferentes grados de oxidación, con el fin de estudiar el fenómeno. Para caracterizar el grado de oxidación de las muestras en distintas escalas de profundidad se utilizaron espectroscopias de electrones Auger y FT-IR.