Emisión de electrones secundarios en films de aisladores. AlF3 sobre Cu(100)

G. RUANO; R. VIDAL; J. FERRÓN

S. C. de Bariloche

Congreso; Sólidos 2005; 2005

A pesar que la emisión de electrones secundarios inducida por bombardeo iónico es un tema estudiado ya por más de un siglo, continuamente aparecen experimentos que generan nuevas preguntas. Dentro de este esquema, la emisión de electrones secundarios en aisladores presenta un desarrollo notablemente inferior respecto de metales y semiconductores. En este trabajo presentamos resultados sobre la emisión de electrones inducida por iones (He, Ne, Ar y Li) sobre un metal (Cu) y un aislador (AlF3) y para films del aislador crecido sobre éste. Las mediciones fueron realizadas en función del espesor del film para identificar posibles efectos del metal sobre los mecanismos de emisión en el aislador. Teniendo en cuenta, por ejemplo, que la temperatura de metalización del fluoruro de aluminio con el recocido y algunos mecanismos de transporte, como la supervivencia de excitones, son dependientes espesor del film, es esperable que los mecanismos de emisión de electrones sean tambien dependientes. Asi, encontramos que recocidos suaves (T<200C), para los cuales la estructura química del fluoruro no es afectada [L.Vergara et.al. Surf.Sci. 482 (2001) 854], de los films afectan drásticamente la distribución en energía de los electrones secundarios.