EFECTO DE LA OXIDACIÓN DE SILICIO NANOPOROSO SOBRE LA EMISION DE ELECTRONES SECUNDARIOS

G. D. RUANO; J. FERRÓN; R. R. KOROPECKI

Anales AFA

Asociación Física Argentina

Año: 2008 p. 104 - 109

0327-358X

electron beams in electron spectroscopy.En este trabajo se presentan resultados de espectroscopia de misión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso  adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica.Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a  distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructura