Efectos asistidos por recombinación de portadores en silicio poroso nanoestructurado.

G. RUANO; J. FERRON; A.M. GENNARO; R. D. ARCE; R.R. KOROPECKI

Malargüe

Congreso; 96 Reunión Nacional de Física; 2010

Asociación Física Argentina (AFA)

En este trabajo se analizan las cineticas de evolucion de diferentes efectos fotoinducidos que ocurren en pelculas delgadas de silicio poroso nanoestructurado, preparadas por anodizado electroqumico bajo altos niveles de iluminacion. Se estudia la evolucion fotoinducida de los espectros de luminiscencia, y de la densidad de espines asociados a enlaces colgantes, la evolucion de espectros infrarrojos durante la oxidacion asistida por luz, la efusion fotoinducida de hidrogeno, la evolucion de los espectros de fotoemision generados por radiacion ultravioleta bajo bombardeo electronico, y la efusion de hidrógeno generada por bombardeo electronico. Un analisis detallado de los experimentos muestra que la cinetica de los procesos de efusion de hidrogeno no es de origen termico, y tampoco ocurren por intercambio directo de energa entre la radiacion incidente y los enlaces silicio-hidrogeno. Se propone un modelo que incluye el efecto de las fluctuaciones de gran energa y corto tiempo, que ocurren durante procesos de recombinación bimolecular de portadores, y se presentan simulaciones numericas que validan el modelo. La exodifusion de hidrogeno posee un rol preponderante en todos los efectos