Variación del dopaje en junturas Si-p/SnO2:F y su efecto en las propiedades eléctricas y estructurales

F. GARCÉS; L. N. ACQUAROLI; R. R. KOROPECKI; R. D. ARCE

Malargüe

Congreso; Reunión Nacional de Física; 2010

Asociación Física Argentina (AFA)

El silicio poroso es un material que se obtiene a partir de la anodización electroquímica de una superficie de silicio cristalino. Estas estructuras porosas poseen un área específica muy grande que permite una efectiva interacción con el entorno. La estructura porosa funciona además como una trampa porosa. La deposición de óxidos transparentes conductores (TCO) como el SnO2 permite la obtención de contactos semiconductor-óxido transparente con efectos de atrapamiento de luz, de gran interés para aplicar en dispositivos fotovoltaicos. Además, para optimizar las propiedades de transporte de estos dispositivos, los óxidos utilizados suelen tener agregados que funcionan como dopantes. En el caso del SnO2 estos elementos pueden ser el F, el Cl o el Sb. La inserción de estos dopantes en el TCO modifica la estructura del óxido alterando las propiedades eléctricas del material. A efectos de investigar este comportamiento se sintetizaron varias soluciones precursoras de SnO2 variando la concentración del dopante, utilizando la técnica Sol-Gel para la deposición de los precursores sobre los sustratos de silicio poroso. Posteriormente se caracterizó el material superficial y estructuralmente utilizando la técnica de microscopia SEM y Difracción de rayos X respectivamente. Se caracterizaron eléctricamente el contacto semiconductor-TCO por medio de la medición de la curva I-V del dispositivo. Los resultados mostraron un comportamiento del tipo Schotky en todos los casos. El ajuste de las curvas I-V con un modelo del tipo diodo simple dio como resultado valores para el factor de idealidad de 8, con una resistencia en serie entre 500 y 800 Ω