INVESTIGADORES
ARCE roberto Delio
congresos y reuniones científicas
Título:
Longitud ambipolar en muestras de silicio microcristalino dopado con boro
Autor/es:
ARCE, R.D.; BRUGGEMANN, R.
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; 90º Reunión Nacional de Física; 2005
Resumen:
Utilizando el m´etodo de SSPG (Steady State Photocunductive
Grating), se determin´o la longitud ambipolar de
difusi´on de una serie de muestras de silicio policristalino.
Las muestras fueron preparadas por deposici´on qu´ımica en
fase vapor asistida por plasma. Como gas reactivo se utiliz
´o silano diluido en hidr´ogeno (4 por ciento de silano).
Como dopante se us´o diborano, variando su concentraci´on
en el rango de 0 a 200 ppm. Las mediciones de esta serie
se hicieron a temperatura ambiente. Para dos muestras de
la serie se determin´o la longitud de difusi´on en funci´on de
la temperatura, desde ?140 C y hasta 100 C. La longitud
ambipolar de difusi´on permite determinar el producto movilidad
por tiempo de vida de los portadores minoritarios
(mu*tau). A efectos de comparar valores se determin´o el
producto mu*tau para portadores mayoritarios el que se
calcula a partir de los valores medidos de la fotoconductividad.
En el caso de las mediciones en funci´on de la concentraci´on de diborano se observ´o que el producto mu*tau
para los portadores minoritario alcanza un valor máximo
para concentraciones de diborano de 50 ppm. Mientras que
el mismo producto para portadores mayoritarios pasa por
un m´ınimo para el mismo valor de la concentraci´on.
