Análisis del método de la red fotogenerada de estado estacionario para el caso de defectos correlacionados

A. AGUIRRE; R.D. ARCE; R.R. KOROPECKI; J.A. SCHMIDT

Salta

Congreso; 92º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2007

Asociación Fisica Argentina

Entre los distintos m´etodos ideados para medir la longitudde difusi´on en semiconductores desordenados, se destacala t´ecnica de la red fotogenerada de estado estacionario.Por su sencillez experimental, numerosos laboratoriosutilizan esta t´ecnica en forma rutinaria para caracterizarmuestras de silicio amorfo, silicio microcristalino y otrossemiconductores cristalinos de baja movilidad. En este trabajose presenta un an´alisis te´orico completo del m´etodo,partiendo de las ecuaciones generales que describen el transportede carga cuando una muestra de silicio amorfo hidrogenadoes iluminada con dos haces de luz que interfierensobre su superficie. Dado que los estados de defecto presentesen este semiconductor pueden tener tres estados deocupaci´on (vac´ıos u ocupados por uno o dos electrones), seutiliza la estad´ıstica de estados correlacionados para describirla recombinaci´on y la distribuci´on de cargas atrapadasen el interior del material. Se resuelven anal´ıticamente lasecuaciones planteadas, lo cual lleva a poder simular los resultadosde los experimentos. Para ello se introduce unadensidad de estados compatible con la del silicio amorfo, yse calculan las curvas que se obtendr´ıan al variar distintospar´ametros a los que se tiene acceso experimentalmente.Se analiza la consistencia de las soluciones obtenidas, y secomparan las predicciones que arroja el modelo con los resultadosde una serie de experimentos realizados aplicandodistintas tensiones a la muestra, obteni´endose un acuerdosatisfactorio entre ambos.