Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino

N. BUDINI; J. A. SCHMIDT; R. D. ARCE; R. H. BUITRAGO

Salta

Congreso; 92º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina (AFA 2007); 2007

Asociación Física Argentina

En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dio como resultado un material nanocristalino.